TEM離子研磨機 Gentle Mill

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  1. 所有的研磨參數：包括離子源、氣體流量控制都可按步驟進行存儲或預先程式設定
  2. 為研究合成和天然材料中真實奈米結構提供了專屬的
  3. Gentle Mill極低的離子束能量使表面損傷和離子束誘導的非晶化最小化
  4. 加速電壓和陰極電流，均由數位回饋自動控制
  5. 低能量離子清潔時不會損壞樣品
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標準FIB切割薄層以2kV + GentleMill完成
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金部分太厚，無法解析晶格。 進一步的FIB減薄對Si來說是危險的。
解決方案：分兩步在GentleMill中進一步研磨（每個2x 1分鐘500V 18µA）以達到最佳厚度。
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