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TEM離子研磨機 Unimill
離子能量範圍最廣：使用超高能量和低能量氬氣氣體離子源，從100 eV到16 keV
使用同一儀器快速進行溫和的拋光/清潔
全自動離子源設置和離子磨機操作
可為熱敏感樣品座選配液氮冷卻
極高切削速度
Unimill 機台具備兩支離子槍，兼備快速切割與精細拋光
(左圖)由
SiO、Si和金剛石層所
覆蓋
的
HEMT結構的橫截面明場圖像
(右圖)
高解析度透射電鏡照片，顯示了在Si層與鑽石膜之間的過渡區，其中奈米尺寸
的立方S/iC晶粒嵌入非晶基質中
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