離子束拋光技術:揭露樣品原貌
離子束拋光技術屬於非接觸式,是將氣體分子轉換成離子再匯聚成束,直接將離子束打到樣品。對準拋光位置後樣品會慢慢地去除表面的應力破壞層或是拜爾比層,能透過調整能量與時間精準拋光樣品,看到樣品最真實樣貌與材料晶格。常見儀器為離子研磨機(ion milling)與聚焦離子束系統(FIB)。
離子束拋光技術屬於非接觸式,是將氣體分子轉換成離子再匯聚成束,直接將離子束打到樣品。對準拋光位置後樣品會慢慢地去除表面的應力破壞層或是拜爾比層,能透過調整能量與時間精準拋光樣品,看到樣品最真實樣貌與材料晶格。常見儀器為離子研磨機(ion milling)與聚焦離子束系統(FIB)。
IC切片手法大致分為裂片 (Cleavage)、傳統機械研磨(Grinding)、離子研磨CP(Ion Milling)、聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)等四種。想要知道四種IC切片手法的優缺點與適用環境嗎?本文除了詳細解釋以外,還附上案例照片影片供您參考喔!
截面觀察:如何挑選IC切片手法,找出半導體失效原因! Read More »
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