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Phenom系列機台【規格表】


型號	Pharos G2	ProX G6	XL G2
光學放大倍率	20 – 134 x	20 – 134 x	3 – 16 x
電子放大倍率	200 – 2,000,000 x	160 – 350,000 x	160 – 200,000 x
解析度	SED ≤ 2 nm and BSD ≤ 3 nm	SED ≤ 6 nm and BSD ≤ 8 nm	≤ 10 nm
加速電壓	1kV – 20kV	4.8kV – 20.5kV	4.8kV – 20.5kV
真空模式	高真空模式中真空模式低真空模式	高真空模式低真空模式	高真空模式中真空模式低真空模式
偵測器 (部分選配)	BSD 背向散射電子 EDS/EDX 元素分析 SED 二次電子	BSD 背向散射電子 EDS/EDX 元素分析 SED 二次電子	BSD 背向散射電子 EDS/EDX 元素分析 SED 二次電子
樣品尺寸	最大可達 32mm	最大可達 32mm	範圍最大 100mm x 100mm 可放置36個12mm樣品載台
樣品高度	最高可達 100mm (標準高度32mm)	最高可達 100mm (標準高度32mm)	最高至 40 mm